Tuotteet
Leaded irtisanominen
Leaded irtisanominen
Leaded irtisanominen
Tärkeimmät tekniset tiedot:
Nimellisteho: 5-800W；
Alustamateriaalit: BeO, AlN, Al2O3
Nimellisvastusarvo: 50Ω
Resistanssitoleranssi: ±5 %, ± 2 %, ± 1 %
lämpötilakerroin:＜150ppm/℃
Käyttölämpötila: -55～+150 ℃
ROHS-standardi: Yhteensopiva
Sovellettava standardi: Q/RFTYTR001-2022
Johdon pituus: L tuoteselosteen mukaisesti
(voidaan mukauttaa asiakkaan vaatimusten mukaan)
| Tehoa(W) | Taajuus | Mitat (yksikkö: mm) | SubstraattiMateriaali | Data Sheet (PDF) | |||||
| A | B | H | G | W | L | ||||
| 5W | 6 GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50A-05TM0404 |
| 11 GHz | 1.27 | 2.54 | 0.5 | 1.0 | 0.8 | 3.0 | AlN | RFT50N-05TJ1225 | |
| 10W | 4GHz | 2.5 | 5.0 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 4.0 | BeO | RFT50-10TM2550 |
| 6 GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50A-10TM0404 | |
| 8GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-10TM0404 | |
| 10 GHz | 5.0 | 3.5 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-10TM5035 | |
| 18 GHz | 5.0 | 2.5 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-10TM5023 | |
| 20W | 4GHz | 2.5 | 5.0 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 4.0 | BeO | RFT50-20TM2550 |
| 6 GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50N-20TJ0404 | |
| 8GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-20TM0404 | |
| 10 GHz | 5.0 | 3.5 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-20TM5035 | |
| 18 GHz | 5.0 | 2.5 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-20TM5023 | |
| 30W | 6 GHz | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | AlN | RFT50N-30TJ0606 |
| 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-30TM0606 | ||
| 60W | 6 GHz | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | AlN | RFT50N-60TJ0606 |
| 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-60TM0606 | ||
| 6.35 | 6.35 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-60TJ6363 | ||
| 100W | 3 GHz | 6.35 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | AlN | RFT50N-100TJ6395 |
| 8.9 | 5.7 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 5.0 | AlN | RFT50N-100TJ8957 | ||
| 9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ9595 | ||
| 4GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ1010 | |
| 6 GHz | 6.35 | 6.35 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ6363 | |
| 8.9 | 5.7 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 5.0 | AlN | RFT50N-100TJ8957B | ||
| 8GHz | 9.0 | 6.0 | 1.5 | 2.0 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ0906C | |
| 150W | 3 GHz | 6.35 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | AlN | RFT50N-150TJ6395 |
| 9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-150TJ9595 | ||
| 4GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-150TJ1010 | |
| 6 GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-150TJ1010B | |
| 200W | 3 GHz | 9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-200TJ9595 |
| 4GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-200TJ1010 | |
| 10 GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-200TM1313B | |
| 250W | 3 GHz | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 2.5 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-250TM1210 |
| 10 GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-250TM1313B | |
| 300W | 3 GHz | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 2.5 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-300TM1210 |
| 10 GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-300TM1313B | |
| 400W | 2GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-400TM1313 |
| 500W | 2GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-500TM1313 |
| 800W | 1 GHz | 25.4 | 25.4 | 3.2 | 4 | 6 | 7 | BeO | RFT50-800TM2525 |
Yleiskatsaus
Lyijyinen pääte tehdään valitsemalla sopiva substraattikoko ja materiaalit eri taajuus- ja tehovaatimusten perusteella resistanssin, piiritulostuksen ja sintrauksen avulla.Yleisesti käytetyt substraattimateriaalit voivat olla pääasiassa berylliumoksidia, alumiininitridiä, alumiinioksidia tai paremmin lämpöä hajottavia materiaaleja.
Lyijyllinen päättäminen, jaettu ohutkalvoprosessiin ja paksukalvoprosessiin.Se suunnitellaan tiettyjen teho- ja taajuusvaatimusten perusteella ja käsitellään sitten prosessin läpi.Jos sinulla on erityistarpeita, ota yhteyttä myyntihenkilöstömme tarjoamaan räätälöityjä ratkaisuja.
