Sirun irtisanominen
Tärkeimmät tekniset tiedot:
Nimellisteho: 10-500W;
Alustamateriaalit: BeO, AlN, Al2O3
Nimellisvastusarvo: 50Ω
Resistanssitoleranssi: ±5%, ±2%, ±1%
lämpötilakerroin: <150 ppm/℃
Käyttölämpötila: -55~+150 ℃
ROHS-standardi: Yhteensopiva
Sovellettava standardi: Q/RFTYTR001-2022
| Voima(L) | Taajuus | Mitat (yksikkö: mm) | AlustaMateriaali | Kokoonpano | Tietolomake (PDF) | ||||||
| A | B | C | D | E | F | G | |||||
| 10W | 6 GHz | 2.5 | 5.0 | 0,7 | 2.4 | / | 1.0 | 2.0 | AlN | KUVA 2 | RFT50N-10CT2550 |
| 10 GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.27 | 2.6 | 0,76 | 1.40 | BeO | KUVA 1 | RFT50-10CT0404 | |
| 12W | 12 GHz | 1.5 | 3 | 0,38 | 1.4 | / | 0,46 | 1.22 | AlN | KUVA 2 | RFT50N-12CT1530 |
| 20W | 6 GHz | 2.5 | 5.0 | 0,7 | 2.4 | / | 1.0 | 2.0 | AlN | KUVA 2 | RFT50N-20CT2550 |
| 10 GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.27 | 2.6 | 0,76 | 1.40 | BeO | KUVA 1 | RFT50-20CT0404 | |
| 30W | 6 GHz | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.3 | 3.3 | 0,76 | 1.8 | AlN | KUVA 1 | RFT50N-30CT0606 |
| 60W | 6 GHz | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.3 | 3.3 | 0,76 | 1.8 | AlN | KUVA 1 | RFT50N-60CT0606 |
| 100 W | 5 GHz | 6.35 | 6.35 | 1.0 | 1.3 | 3.3 | 0,76 | 1.8 | BeO | KUVA 1 | RFT50-100CT6363 |
Sirun irtisanominen
Tärkeimmät tekniset tiedot:
Nimellisteho: 10-500W;
Alustamateriaalit: BeO, AlN
Nimellisvastusarvo: 50Ω
Resistanssitoleranssi: ±5%, ±2%, ±1%
lämpötilakerroin: <150 ppm/℃
Käyttölämpötila: -55~+150 ℃
ROHS-standardi: Yhteensopiva
Sovellettava standardi: Q/RFTYTR001-2022
Juotosliitoksen koko: katso erittelylomake
(muokattavissa asiakkaan vaatimusten mukaan)
| Voima(L) | Taajuus | Mitat (yksikkö: mm) | AlustaMateriaali | Tietolomake (PDF) | ||||
| A | B | C | D | H | ||||
| 10W | 6 GHz | 4.0 | 4.0 | 1.1 | 0,9 | 1.0 | AlN | RFT50N-10WT0404 |
| 8 GHz | 4.0 | 4.0 | 1.1 | 0,9 | 1.0 | BeO | RFT50-10WT0404 | |
| 10 GHz | 5.0 | 2.5 | 1.1 | 0,6 | 1.0 | BeO | RFT50-10WT5025 | |
| 20W | 6 GHz | 4.0 | 4.0 | 1.1 | 0,9 | 1.0 | AlN | RFT50N-20WT0404 |
| 8 GHz | 4.0 | 4.0 | 1.1 | 0,9 | 1.0 | BeO | RFT50-20WT0404 | |
| 10 GHz | 5.0 | 2.5 | 1.1 | 0,6 | 1.0 | BeO | RFT50-20WT5025 | |
| 30W | 6 GHz | 6.0 | 6.0 | 1.1 | 1.1 | 1.0 | AlN | RFT50N-30WT0606 |
| 60W | 6 GHz | 6.0 | 6.0 | 1.1 | 1.1 | 1.0 | AlN | RFT50N-60WT0606 |
| 100 W | 3 GHz | 8.9 | 5.7 | 1.8 | 1.2 | 1.0 | AlN | RFT50N-100WT8957 |
| 6 GHz | 8.9 | 5.7 | 1.8 | 1.2 | 1.0 | AlN | RFT50N-100WT8957B | |
| 8 GHz | 9.0 | 6.0 | 1.4 | 1.1 | 1.5 | BeO | RFT50N-100WT0906C | |
| 150W | 3 GHz | 6.35 | 9.5 | 2.0 | 1.1 | 1.0 | AlN | RFT50N-150WT6395 |
| 9.5 | 9.5 | 2.4 | 1.5 | 1.0 | BeO | RFT50-150WT9595 | ||
| 4 GHz | 10.0 | 10.0 | 2.6 | 1.7 | 1.5 | BeO | RFT50-150WT1010 | |
| 6 GHz | 10.0 | 10.0 | 2.6 | 1.7 | 1.5 | BeO | RFT50-150WT1010B | |
| 200 W | 3 GHz | 9.55 | 5.7 | 2.4 | 1.0 | 1.0 | AlN | RFT50N-200WT9557 |
| 9.5 | 9.5 | 2.4 | 1.5 | 1.0 | BeO | RFT50-200WT9595 | ||
| 4 GHz | 10.0 | 10.0 | 2.6 | 1.7 | 1.5 | BeO | RFT50-200WT1010 | |
| 10 GHz | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2.0 | BeO | RFT50-200WT1313B | |
| 250W | 3 GHz | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | BeO | RFT50-250WT1210 |
| 10 GHz | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2.0 | BeO | RFT50-250WT1313B | |
| 300 W | 3 GHz | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | BeO | RFT50-300WT1210 |
| 10 GHz | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2.0 | BeO | RFT50-300WT1313B | |
| 400 W | 2 GHz | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2.0 | BeO | RFT50-400WT1313 |
| 500 W | 2 GHz | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2.0 | BeO | RFT50-500WT1313 |
Sirun päätevastusten koot ja alustamateriaalit on valittava sopivasti erilaisten teho- ja taajuusvaatimusten perusteella. Alustamateriaalit on yleensä valmistettu berylliumoksidista, alumiininitridistä ja alumiinioksidista resistanssin ja piirilevyjen painatuksen avulla.
Sirupäätevastukset voidaan jakaa ohutkalvoihin tai paksukalvoihin, ja niissä on erilaisia vakiokokoja ja tehovaihtoehtoja. Voimme myös ottaa meihin yhteyttä räätälöityjen ratkaisujen saamiseksi asiakkaan vaatimusten mukaisesti.
Pintaliitostekniikka (SMT) on yleinen elektronisten komponenttien pakkausmuoto, jota käytetään yleisesti piirilevyjen pintaliitoksessa. Siruvastukset ovat yksi vastustyyppi, jota käytetään virran rajoittamiseen, piirin impedanssin ja paikallisen jännitteen säätämiseen.
Toisin kuin perinteiset kantavastukset, patch-päätevastuksia ei tarvitse kytkeä piirilevyyn kantapään kautta, vaan ne juotetaan suoraan piirilevyn pintaan. Tämä pakkausmuoto auttaa parantamaan piirilevyjen kompaktiutta, suorituskykyä ja luotettavuutta.
Sirun päätevastusten koot ja alustamateriaalit on valittava sopivasti erilaisten teho- ja taajuusvaatimusten perusteella. Alustamateriaalit on yleensä valmistettu berylliumoksidista, alumiininitridistä ja alumiinioksidista resistanssin ja piirilevyjen painatuksen avulla.
Sirupäätevastukset voidaan jakaa ohutkalvoihin tai paksukalvoihin, ja niissä on erilaisia vakiokokoja ja tehovaihtoehtoja. Voimme myös ottaa meihin yhteyttä räätälöityjen ratkaisujen saamiseksi asiakkaan vaatimusten mukaisesti.
Yrityksemme käyttää kansainvälistä HFSS-yleisohjelmistoa ammattimaiseen suunnitteluun ja simulointiin. Sähkönjakelun luotettavuuden varmistamiseksi suoritimme erikoistuneita tehonsuorituskykykokeita. Suorituskykyindikaattoreiden testaamiseen ja seulontaan käytettiin tarkkoja verkkoanalysaattoreita, mikä johti luotettavaan suorituskykyyn.
Yrityksemme on kehittänyt ja suunnitellut pinta-asennettavia päätevastuksia eri kokoisina, eri tehoisina (kuten 2W-800W päätevastukset eri tehoilla) ja eri taajuuksina (kuten 1G-18GHz päätevastukset). Tervetuloa asiakkaat valitsemaan ja käyttämään niitä erityisten käyttövaatimusten mukaisesti.
Pinta-asennettavat lyijyttömiä päätevastuksia kutsutaan myös pinta-asennetuiksi lyijyttömiksi vastuksiksi, ja ne ovat pienoiskokoisia elektronisia komponentteja. Niiden ominaispiirre on, että niissä ei ole perinteisiä johtoja, vaan ne on juotettu suoraan piirilevylle SMT-tekniikalla.
Tämän tyyppisellä vastuksella on tyypillisesti etuna pieni koko ja keveys, mikä mahdollistaa tiheän piirilevysuunnittelun, säästää tilaa ja parantaa järjestelmän kokonaisintegraatiota. Johtojen puutteen vuoksi niillä on myös alhaisempi loisinduktanssi ja -kapasitanssi, mikä on ratkaisevan tärkeää korkeataajuussovelluksissa, koska se vähentää signaalihäiriöitä ja parantaa piirin suorituskykyä.
SMT-lyijyttömien päätevastusten asennusprosessi on suhteellisen yksinkertainen, ja eräasennus voidaan suorittaa automatisoiduilla laitteilla tuotantotehokkuuden parantamiseksi. Sen lämmönpoistokyky on hyvä, mikä voi tehokkaasti vähentää vastuksen käytön aikana tuottamaa lämpöä ja parantaa luotettavuutta.
Lisäksi tämän tyyppisellä vastuksella on korkea tarkkuus ja se voi täyttää erilaiset sovellusvaatimukset tiukoilla resistanssiarvoilla. Niitä käytetään laajalti elektroniikkatuotteissa, kuten passiivisissa komponenteissa, RF-eristimissä, kytkimissä, koaksiaalikuormissa ja muilla aloilla.
Kaiken kaikkiaan SMT-lyijyttömistä päätevastuksista on tullut välttämätön osa modernia elektroniikkasuunnittelua pienen kokonsa, hyvän korkeataajuussuorituskykynsä ja helpon asennuksensa ansiosta.