tuotteet

Tuotteet

Laippa -irtisanominen

Piirin päähän asennetaan laipat, jotka absorboivat piiriin siirretyt signaalit ja estävät signaalin heijastuksen, vaikuttaen siten piirijärjestelmän läpäisyn laatuun. Laitosliitin kootaan hitsaamalla yksi lyijypäätevastus laipavilla ja laastareilla. Laipan koko on yleensä suunniteltu asennusreikien yhdistelmän ja päätteen vastus mittojen yhdistelmän perusteella. Räätälöinti voidaan tehdä myös asiakkaan käyttövaatimusten mukaisesti.


  • Arvioitu voima:5-1500W
  • Substraattimateriaalit:Beo 、 aln 、 al2o3
  • Nimellinen vastusarvo:50Ω
  • Resistenssitoleranssi:± 5%、 ± 2%、 ± 1%
  • Lämpötilakerroin:< 150ppm/℃
  • Käyttölämpötila:-55 ~+150 ℃
  • Laippapäällyste:valinnainen nikkeli tai hopeapinnoitus
  • ROHS -standardi:Mukainen
  • Lyijypituus:L Tiedotuslomakkeessa määritelty
  • Mukautettu muotoilu saatavilla pyynnöstä.:
  • Tuotetiedot

    Tuotetunnisteet

    Laippa -irtisanominen

    Laippa -irtisanominen
    Tärkeimmät tekniset tiedot :

    Nimellisteho : 5-1500W ;
    Substraattimateriaalit : beo 、 aln 、 al2o3
    Nimellinen vastusarvo : 50Ω
    Resistenssitoleranssi : ± 5%、 ± 2%、 ± 1%
    Lämpötilakerroin : < 150ppm/℃
    Käyttölämpötila : -55 ~+150 ℃
    Laippapäällyste: valinnainen nikkeli tai hopeapinnoitus
    ROHS -standardi: yhteensopiva
    Sovellettava standardi: q/rftytr001-2022
    Lyijypituus: l Tiedolomakkeessa määritelty
    (voidaan räätälöidä asiakasvaatimusten mukaisesti)

    ZXCZXC1
    Voima
    (W)
    Taajuus
    Etäisyys
    Ulottuvuus (yksikkö: mm) SubstraattiMateriaali Kokoonpano Tietolomake
    (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    5W 6 GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  Kuva 1   RFT50A-05TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  Kuva 1   RFT50A-05TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  Kuva 2   RFT50A-05TM0904 (R, L, I)
    10W 4 GHz 7.7 5.0 5.1 2,5 1,5 2,5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 Beo Kuva 2   RFT50-10TM7750 ((R, L))
    6 GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  Kuva 1   RFT50A-10TM1304
    Alna Kuva 1   RFT50N-10TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  Kuva 1   RFT50A-10TM1104
    Alna Kuva 1   RFT50N-10TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3 Kuva 2   RFT50A-10TM0904 (R, L, I)
      Alna Kuva 2   RFT50N-10TJ0904 (R, L, I)
    8 GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 Beo Kuva 1   RFT50-10TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.2 Beo Kuva 1   RFT50-10TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 Beo Kuva 2   RFT50-10TM0904 (R, L, I)
    18 GHz 7.7 5.0 5.1 2,5 1,5 2,5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 Beo Kuva 2   RFT50-10TM7750I
    20W 4 GHz 7.7 5.0 5.1 2,5 1,5 2,5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 Beo Kuva 2   RFT50-20TM7750 ((R, L))
    6 GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 Alna Kuva 1   RFT50N-20TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.2 Alna Kuva 1   RFT50N-20TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 Alna Kuva 2   RFT50N-20TJ0904 (R, L, I)
    8 GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 Beo Kuva 1   RFT50-20TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.2 Beo Kuva 1   RFT50-20TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1,8 2,8 1.0 4.0 / 2.1 Beo Kuva 2   RFT50-10TM0904 (R, L, I)
    18 GHz 7.7 5.0 5.1 2,5 1,5 2,5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 Beo Kuva 2   RFT50-10TM7750I
    30W 6 GHz 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2,0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 Alna Kuva 1   RFT50N-30TJ1606
    Beo Kuva 1   RFT50-30TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 Alna Kuva 1   RFT50N-30TJ2006
    Beo Kuva 1   RFT50-30TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 Alna Kuva 2   RFT50N-30TJ1306 (R, L, I)
    3.0 Beo Kuva 2   RFT50-30TM1306 (R, L, I)
    60W 6 GHz 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2,0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 Alna Kuva 1   RFT50N-60TJ1606
    3.2 Beo Kuva 1   RFT50-60TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 Alna Kuva 1   RFT50N-60TJ2006
    3.2 Beo Kuva 1   RFT50-60TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 Alna Kuva 2   RFT50N-60TJ1306 (R, L, I)
    3.2 Beo Kuva 2   RFT50-60TM1306 (R, L, I)
    法兰式终端 Kuva 3 10,5
    Voima
    (W)
    Taajuus
    Etäisyys
    Mitat (yksikkö: mm) Substraatti
    Materiaali
    Kokoonpano Tietolomake (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    100W 3 GHz 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 Beo Kuva 1   RFT50-100TM2595
    4 GHz 16.0 6.0 13.0 9.0 1.0 2,0 2,5 1.0 6.0 / 2.1 Beo Kuva 2   RFT50N-100TM1606
    20.0 6.0 14.0 9.0 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 Beo Kuva 1   RFT50N-100TJ2006
    24.8 6.0 18.4 6.0 2,8 3.8 4.6 1.0 5.0 / 3.2 Beo Kuva 1   RFT50-100TM2506
    16.0 10.0 13.0 10.0 1,5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 Beo Kuva 4   RFT50-100TJ1610 (R, L, I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1,5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 Beo Kuva 1   RFT50-100TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 Beo Kuva 1   RFT50-100TJ2510
    5 GHz 13.0 6.35 10.0 6.35 1,5 2,5 3.2 1.0 5.0 / 3.2 Beo Kuva 2   RFT50-100TJ1363 (R, L, I)
    16.6 6.35 12.0 6.35 1,5 2,5 3.5 1.0 5.0 / 2,5 Beo Kuva 1   RFT50-100TM1663
    6 GHz 16.0 6.0 13.0 8.9 1.0 2,0 2,5 1.0 5.0 / 2.1 Alna Kuva 1   RFT50N-100TJ1606B
    20.0 6.0 14.0 8.9 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 Alna Kuva 1   RFT50N-100TJ2006B
    8 GHz 20.0 6.0 14.0 8.9 1,5 3.0 3.5 1.0 5.0 / 3.2 Alna Kuva 1   RFT50N-100TJ2006C
    150 W 3 GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1,5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 Beo Kuva 4   RFT50-150TM1610 (R, L, I)
    22.0 9.5 14.0 6.35 1,5 2.6 3.0 1.4 5.0 / 4.0 Ain Kuva 1   RFT50N-150TJ2295
    24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 Beo Kuva 1   RFT50-150TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 Beo Kuva 1   RFT50-150TM2510
    4 GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1,5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 Beo Kuva 4   RFT50-150TJ1610 (R, L, I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1,5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 Beo Kuva 3   RFT50-150TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 Beo Kuva 1   RFT50-150TJ2510
    200W 3 GHz 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 Beo Kuva 1   RFT50-200TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 Beo Kuva 1   RFT50-200TM2510
    4 GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1,5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 Beo Kuva 2   RFT50-200TM1610 (R, L, I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1,5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 Beo Kuva 3   RFT50-200TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 Beo Kuva 1   RFT50-150TJ2510
    10 GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 Beo Kuva 1   RFT50-200TM3213B
    250 W 3 GHz 23.0 10.0 17.0 12.0 1,5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 Beo Kuva 3   RFT50-250TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 Beo Kuva 1   RFT50-250TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2,5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 Beo Kuva 1   RFT50-250TM2710
    10 GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 Beo Kuva 1   RFT50-250TM3213B
    300W 3 GHz 23.0 10.0 17.0 12.0 1,5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 Beo Kuva 1   RFT50-300TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 Beo Kuva 1   RFT50-300TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2,5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 Beo Kuva 1   RFT50-300TM2710
    10 GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 Beo Kuva 1   RFT50-300TM3213B
    400W 2 GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 Beo Kuva 1   RFT50-400TM3213
    500W 2 GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 Beo Kuva 1   RFT50-500TM3213
    800W 1 GHz 48.0 26.0 40.0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 Beo Kuva 5   RFT50-800TM4826
    1000 W 1 GHz 48.0 26.0 40.0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 Beo Kuva 5   RFT50-1000TM4826
    1500W 0,8 GHz 50.0 78.0 40.0 26.0 5.0 8.2 9.0 6.0 7.0 15.0 4.2 Beo Kuva 5   RFT50-1500TM5078

    Yleiskatsaus

    Laippa on yleensä valmistettu kuparipinnoitetusta nikkeli- tai hopeakäsittelystä. Resistenssisubstraatti on yleensä valmistettu berylliumoksidista, alumiininitridistä ja alumiinioksidista tulostamisesta sähkövaatimusten ja lämmön hajoamisolosuhteiden mukaisesti.

    Laitepäätettä, kuten lyijyn päättymistä, käytetään pääasiassa piirin päähän lähetettyjen signaaliaaltojen absorboimiseen, estämään signaalin heijastusta vaikuttamaan piiriin ja varmistavat piirijärjestelmän läpäisylaadun.

    Laitosulkevassa päätelmässä on helppoa asennusta verrattuna laipan laipan ja asennusreiän vuoksi laipan laipan ja kiinnitysreiän vuoksi.


  • Edellinen:
  • Seuraava: