tuotteet

Tuotteet

RFT50-500WT1313 DC~2.0GHz RF-pääte


  • Malli:RFT50-500WT1313
  • Taajuusalue:DC~2,0 GHz
  • Teho:500 W
  • Vastusalue:50 Ω
  • Resistanssitoleranssi:±5 %
  • VSWR:1.20Max
  • Lämpötilakerroin: <150ppm>
  • Alustamateriaali:BeO
  • Korkin materiaali:Keskikokoinen
  • Vastusteknologia:Paksu kalvo
  • Käyttölämpötila:-55 - +155 °C (katso tehon aleneminen)
  • Tuotetiedot

    Tuotetunnisteet

    Malli RFT50-500WT1313
    Taajuusalue DC~2,0 GHz
    Voima 500 W
    Vastusalue 50 Ω
    Resistanssitoleranssi ±5 %
    VSWR 1.20Max
    Lämpötilakerroin <150 ppm/℃
    Alustamateriaali BeO
    Korkin materiaali Keskikokoinen
    Vastusteknologia Paksu kalvo
    Käyttölämpötila -55 - +155 °C (katso tehon aleneminen)

    Tyypillinen suorituskyky:

    2
    3

    Asennustapa

    Tehon aleneminen

    4
    5

    Reflow-aika- ja lämpötilakaavio:

    6

    Tuotenumeron merkintä

    kuva-1

    Huomiota vaativat asiat

    ■ Kun vasta ostettujen osien varastointiaika on yli 6 kuukautta, on kiinnitettävä huomiota niiden hitsattavuuteen ennen käyttöä. On suositeltavaa säilyttää ne tyhjiöpakkauksessa.
    ■ Poraa piirilevyyn kuuma reikä ja täytä juote.
    ■ Pohjahitsauksessa suositaan uudelleenhitsausta, katso uudelleenhitsauksen esittely
    ■ Manuaalista hitsauslankaa tulee käyttää jatkuvassa, enintään 350 asteen lämpötilassa, ja hitsausaikaa tulee säätää 5 sekunnin tarkkuudella.
    ■ Piirustusten vaatimusten täyttämiseksi on asennettava riittävän kokoinen patteri.
    ■ Lisää tarvittaessa ilmajäähdytys tai vesijäähdytys.
    ◆ Kuvaus:
    ■ Saatavilla on räätälöityjä RF-vaimentimia, RF-vastuksia ja RF-liittimiä.


  • Edellinen:
  • Seuraavaksi: