| Voima (L) | Mitta (yksikkö: mm) | Alustamateriaali | Kokoonpano | Tietolomake (PDF) | ||||
| A | B | C | D | H | ||||
| 2 | 2.2 | 1.0 | 0,5 | Ei tiedossa | 0,4 | BeO | Kuva B | RFTXX-02CR1022B |
| 5.0 | 2.5 | 1.25 | Ei tiedossa | 1.0 | AlN | Kuva B | RFTXXN-02CR2550B | |
| 3.0 | 1.5 | 0,3 | 1.5 | 0,4 | AlN | Kuvio C | RFTXXN-02CR1530C | |
| 6.5 | 3.0 | 1.00 | Ei tiedossa | 0,6 | Al2O3 | Kuva B | RFTXXA-02CR3065B | |
| 5 | 2.2 | 1.0 | 0,4 | 0,6 | 0,4 | BeO | Kuvio C | RFTXX-05CR1022C |
| 3.0 | 1.5 | 0,3 | 1.5 | 0,38 | AlN | Kuvio C | RFTXXN-05CR1530C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.25 | Ei tiedossa | 1.0 | BeO | Kuva B | RFTXX-05CR2550B | |
| 5.0 | 2.5 | 1.3 | 1.0 | 1.0 | BeO | Kuvio C | RFTXX-05CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.3 | Ei tiedossa | 1.0 | BeO | KuvioW | RFTXX-05CR2550W | |
| 6.5 | 6.5 | 1.0 | Ei tiedossa | 0,6 | Al2O3 | Kuva B | RFTXXA-05CR6565B | |
| 10 | 5.0 | 2.5 | 2.12 | Ei tiedossa | 1.0 | AlN | Kuva B | RFTXXN-10CR2550TA |
| 5.0 | 2.5 | 2.12 | Ei tiedossa | 1.0 | BeO | Kuva B | RFTXX-10CR2550TA | |
| 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | AlN | Kuvio C | RFTXXN-10CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | BeO | Kuvio C | RFTXX-10CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.25 | Ei tiedossa | 1.0 | BeO | KuvioW | RFTXX-10CR2550W | |
| 20 | 5.0 | 2.5 | 2.12 | Ei tiedossa | 1.0 | AlN | Kuva B | RFTXXN-20CR2550TA |
| 5.0 | 2.5 | 2.12 | Ei tiedossa | 1.0 | BeO | Kuva B | RFTXX-20CR2550TA | |
| 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | AlN | Kuvio C | RFTXXN-20CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | BeO | Kuvio C | RFTXX-20CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.25 | Ei tiedossa | 1.0 | BeO | KuvioW | RFTXXN-20CR2550W | |
| 30 | 5.0 | 2.5 | 2.12 | Ei tiedossa | 1.0 | BeO | Kuva B | RFTXX-30CR2550TA |
| 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | AlN | Kuvio C | RFTXX-30CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.25 | Ei tiedossa | 1.0 | BeO | KuvioW | RFTXXN-30CR2550W | |
| 6.35 | 6.35 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | BeO | Kuvio C | RFTXX-30CR6363C | |
Siruvastus, joka tunnetaan myös pinta-asennusvastusena, on laajalti käytetty vastus elektronisissa laitteissa ja piirilevyissä. Sen tärkein ominaisuus on, että se voidaan asentaa suoraan piirilevylle pinta-asennustekniikalla (SMD) ilman nastojen rei'itystä tai juottamista.
Verrattuna perinteisiin vastuksiin, yrityksemme valmistamilla siruvastuksilla on pienempi koko ja suurempi teho, mikä tekee piirilevyjen suunnittelusta kompaktimpaa.
Asennukseen voidaan käyttää automatisoituja laitteita, ja siruvastuksilla on korkeampi tuotantotehokkuus ja niitä voidaan tuottaa suuria määriä, mikä tekee niistä sopivia laajamittaiseen valmistukseen.
Valmistusprosessilla on korkea toistettavuus, mikä varmistaa eritelmien johdonmukaisuuden ja hyvän laadunvalvonnan.
Siruvastuksilla on alhaisempi induktanssi ja kapasitanssi, mikä tekee niistä erinomaisia korkeataajuisten signaalien siirrossa ja RF-sovelluksissa.
Siruvastusten hitsausliitäntä on turvallisempi ja vähemmän altis mekaaniselle rasitukselle, joten niiden luotettavuus on yleensä korkeampi kuin pistokevastusten.
Käytetään laajalti erilaisissa elektronisissa laitteissa ja piirilevyissä, mukaan lukien viestintälaitteet, tietokoneet, kulutuselektroniikka, autoelektroniikka jne.
Siruvastuksia valittaessa on otettava huomioon eritelmät, kuten resistanssiarvo, tehohäviökapasiteetti, toleranssi, lämpötilakerroin ja pakkaustyyppi sovelluksen vaatimusten mukaisesti.