Voima (W) | Ulottuvuus (yksikkö: mm) | Substraattimateriaali | Kokoonpano | Tietolomake (PDF) | ||||
A | B | C | D | H | ||||
2 | 2.2 | 1.0 | 0,5 | N/a | 0,4 | Beo | Kuva | RFTXX-02CR1022B |
5.0 | 2,5 | 1.25 | N/a | 1.0 | Alna | Kuva | RFTXXN-02CR2550B | |
3.0 | 1,5 | 0,3 | 1,5 | 0,4 | Alna | Kuvio | RFTXXN-02CR1530C | |
6.5 | 3.0 | 1.00 | N/a | 0,6 | Al2O3 | Kuva | RFTXXA-02CR3065B | |
5 | 2.2 | 1.0 | 0,4 | 0,6 | 0,4 | Beo | Kuvio | RFTXX-05CR1022C |
3.0 | 1,5 | 0,3 | 1,5 | 0,38 | Alna | Kuvio | RFTXXN-05CR1530C | |
5.0 | 2,5 | 1.25 | N/a | 1.0 | Beo | Kuva | RFTXX-05CR2550B | |
5.0 | 2,5 | 1.3 | 1.0 | 1.0 | Beo | Kuvio | RFTXX-05CR2550C | |
5.0 | 2,5 | 1.3 | N/a | 1.0 | Beo | Kuvitella | RFTXX-05CR2550W | |
6.5 | 6.5 | 1.0 | N/a | 0,6 | Al2O3 | Kuva | RFTXXA-05CR6565B | |
10 | 5.0 | 2,5 | 2.12 | N/a | 1.0 | Alna | Kuva | RFTXXN-10CR2550TA |
5.0 | 2,5 | 2.12 | N/a | 1.0 | Beo | Kuva | RFTXX-10CR2550TA | |
5.0 | 2,5 | 1.0 | 2,0 | 1.0 | Alna | Kuvio | RFTXXN-10CR2550C | |
5.0 | 2,5 | 1.0 | 2,0 | 1.0 | Beo | Kuvio | RFTXX-10CR2550C | |
5.0 | 2,5 | 1.25 | N/a | 1.0 | Beo | Kuvitella | RFTXX-10CR2550W | |
20 | 5.0 | 2,5 | 2.12 | N/a | 1.0 | Alna | Kuva | RFTXXN-20CR2550TA |
5.0 | 2,5 | 2.12 | N/a | 1.0 | Beo | Kuva | RFTXX-20CR2550TA | |
5.0 | 2,5 | 1.0 | 2,0 | 1.0 | Alna | Kuvio | RFTXXN-20CR2550C | |
5.0 | 2,5 | 1.0 | 2,0 | 1.0 | Beo | Kuvio | RFTXX-20CR2550C | |
5.0 | 2,5 | 1.25 | N/a | 1.0 | Beo | Kuvitella | RFTXXN-20CR2550W | |
30 | 5.0 | 2,5 | 2.12 | N/a | 1.0 | Beo | Kuva | RFTXX-30CR2550TA |
5.0 | 2,5 | 1.0 | 2,0 | 1.0 | Alna | Kuvio | RFTXX-30CR2550C | |
5.0 | 2,5 | 1.25 | N/a | 1.0 | Beo | Kuvitella | RFTXXN-30CR2550W | |
6.35 | 6.35 | 1.0 | 2,0 | 1.0 | Beo | Kuvio | RFTXX-30CR6363C |
Chip -vastus, joka tunnetaan myös nimellä pintaasennusvastus, on laajalti käytetty vastus elektronisissa laitteissa ja piirilevyissä. Sen pääominaisuus on asennettava suoraan piirilevylle Surface Mount -teknologian (SMD) kautta ilman perforointia tai nastajen juottamista.
Verrattuna perinteisiin vastuksiin, yrityksen tuottamilla siruvastuksilla on pienempi ja suurempi teho, mikä tekee piirilevyjen suunnittelusta kompakti.
Automatisoituja laitteita voidaan käyttää kiinnittämiseen, ja siruvastuksissa on suurempi tuotantotehokkuus ja niitä voidaan tuottaa suurina määrinä, mikä tekee niistä sopivia laaja-alaiseen valmistukseen.
Valmistusprosessissa on korkea toistettavuus, mikä voi varmistaa määritelmien johdonmukaisuuden ja laadunvalvonnan.
Sirunvastuksissa on alhaisempi induktanssi ja kapasitanssi, mikä tekee niistä erinomaisia korkeataajuisia signaalin lähetys- ja RF-sovelluksia.
Siruvastusten hitsausliitäntä on turvallisempi ja vähemmän herkkä mekaaniselle jännitykselle, joten niiden luotettavuus on yleensä korkeampi kuin plug-in-in-vastusten.
Laajasti käytetty erilaisissa elektronisissa laitteissa ja piirilevyissä, mukaan lukien viestintälaitteet, tietokonelaitteet, kulutuselektroniikka, autoelektroniikka jne.
Kun valitaan siruvastuksia, on tarpeen harkita eritelmiä, kuten vastusarvo, tehon hajoamiskapasiteetti, toleranssi, lämpötilakerroin ja pakkaustyyppi sovellusvaatimusten mukaisesti